用户: 数学迷/余紧晶格的谱理论
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设 是余紧晶格. 记 , , 本节研究 的谱分解.
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1定理与证明
的卷积作用是紧自伴算子, 所以 可关于它分解为若干有限维特征子空间以及特征值 部分. 由 中有单位逼近, 容易发现没有特征值 部分. 然后由于 和 的作用交换, 的特征子空间都是 的不变子空间. 再对 用有限维谱理论即可.
设 Γ⊂SO+(n+1,1) 是余紧晶格. 记 S=Hn+1, X=Γ\S, 本节研究 L2(X) 的谱分解.
A(S) 的卷积作用是紧自伴算子, 所以 L2(X) 可关于它分解为若干有限维特征子空间以及特征值 0 部分. 由 A(S) 中有单位逼近, 容易发现没有特征值 0 部分. 然后由于 D(S) 和 A(S) 的作用交换, A(S) 的特征子空间都是 D(S) 的不变子空间. 再对 D(S) 用有限维谱理论即可.